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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	150V
Courant du drain	2,4A
Courant du drain dans l'impulsion	12A
Puissance de dissipation	2,4W
Boîtier	MicroFET
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	0,175Ω
Montage	SMD
Charge d'entrée	4,1nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

FDMA86251

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 150V; 2,4A; Idm: 12A; 2,4W

Spécification