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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	200V
Courant du drain	9,5A
Puissance de dissipation	42W
Boîtier	WDFN8
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	397mΩ
Montage	SMD
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

FDMC2610

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 200V; 9,5A; 42W; WDFN8

Spécification

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