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FDMC4D9P20X8

Transistor: P-MOSFET; unipolaire; -20V; -47A; Idm: -335A; 40W; PQFN8


Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FDMC4D9P20X8
Référence TME:
FDMC4D9P20X8

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
-20V
Courant du drain
-47A
Courant du drain dans l'impulsion
-335A
Puissance de dissipation
40W
Boîtier
PQFN8
Tension entrée-source
±12V
Résistance en état de conduction
16,4mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
109nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.01 g
Certificates

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FDMC4D9P20X8
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