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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
La technologie	PowerTrench®
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	30V
Courant du drain	40A
Puissance de dissipation	41W
Boîtier	PQFN8
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	3,3mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	86nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

FDMC7660

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 30V; 40A; 41W; PQFN8

Spécification