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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	150V
Courant du drain	25A
Courant du drain dans l'impulsion	135A
Puissance de dissipation	54W
Boîtier	WDFN8
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	34mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	15nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

FDMC86260

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 150V; 25A; Idm: 135A; 54W; WDFN8

Spécification