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FDMD8280

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 80V; 40A; Idm: 160A; 38W; PQFN8

Famille de produits

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FDMD8280
Référence TME:
FDMD8280

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
80V
Courant du drain
40A
Courant du drain dans l'impulsion
160A
Puissance de dissipation
38W
Boîtier
PQFN8
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
12,4mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
44nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.01 g
Certificates

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FDMD8280
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