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FDMQ8203

Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolaire; 100/-80V; 6/-6A; 2,5W

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FDMQ8203
Référence TME:
FDMQ8203

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N/P-MOSFET x2
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
100/-80V
Courant du drain
6/-6A
Puissance de dissipation
2,5W
Boîtier
WDFN12
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
323/191mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
19/5nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Construction de semi-conducteur
drain commun
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
MOSFET H-Bridge
Poids brut0.01 g
Certificates

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FDMQ8203
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