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Fabricant: ONSEMI
Fabricant | ONSEMI | |
Type de transistor | N/P-MOSFET x2 | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 100/-80V | |
Courant du drain | 6/-6A | |
Puissance de dissipation | 2,5W | |
Boîtier | WDFN12 | |
Tension entrée-source | ±20V | |
Résistance en état de conduction | 323/191mΩ | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 19/5nC | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Genre de canal | enrichi | |
Construction de semi-conducteur | drain commun | |
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs | MOSFET H-Bridge |