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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET x4
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	60V
Courant du drain	8A
Courant du drain dans l'impulsion	50A
Puissance de dissipation	22W
Boîtier	MLP12
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	17,5mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	33nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

FDMQ86530L

Transistor: N-MOSFET x4; unipolaire; 60V; 8A; Idm: 50A; 22W; MLP12

Spécification

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