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FDMS0306AS

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 30V; 49A; Idm: 100A; 59W; PQFN8


Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FDMS0306AS
Référence TME:
FDMS0306AS

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
30V
Courant du drain
49A
Courant du drain dans l'impulsion
100A
Puissance de dissipation
59W
Boîtier
PQFN8
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
3,3mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
57nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.1 g
Certificates

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FDMS0306AS
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