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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
La technologie	PowerTrench®
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	30V
Courant du drain	49A
Courant du drain dans l'impulsion	100A
Puissance de dissipation	50W
Boîtier	Power56
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	4mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	47nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

FDMS0308AS

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 30V; 49A; Idm: 100A; 50W; Power56

Spécification

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