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FDMS10C4D2N

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 100V; 48A; Idm: 510A; 125W

Famille de produits

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FDMS10C4D2N
Référence TME:
FDMS10C4D2N

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
PowerTrench®
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
100V
Courant du drain
48A
Courant du drain dans l'impulsion
510A
Puissance de dissipation
125W
Boîtier
Power56
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
9mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
65nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.1 g
Certificates

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FDMS10C4D2N
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 3.00 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 3.00 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 2.09 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 2.09 USD
Prix net pour les quantités de 100 pcs - 1.85 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 1.85 USD
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