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En savoir plus iciFabricant: ONSEMI
Fabricant | ONSEMI | |
Type de transistor | N-MOSFET x2 | |
La technologie | PowerTrench® | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 30/30V | |
Courant du drain | 30/40A | |
Courant du drain dans l'impulsion | 40...100A | |
Puissance de dissipation | 2,2/2,5W | |
Boîtier | PQFN8 | |
Tension entrée-source | ±20/±20V | |
Résistance en état de conduction | 10,8/4mΩ | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 29/66nC | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Genre de canal | enrichi | |
Construction de semi-conducteur | asymétrique |