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FDMS4435BZ

Transistor: P-MOSFET; unipolaire; -30V; -18A; Idm: -50A; 39W

Famille de produits

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FDMS4435BZ
Référence TME:
FDMS4435BZ

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
-30V
Courant du drain
-18A
Courant du drain dans l'impulsion
-50A
Puissance de dissipation
39W
Boîtier
Power56
Tension entrée-source
±25V
Résistance en état de conduction
37mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
47nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.135 g
Certificates

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FDMS4435BZ
2324 dans l'entrepôt TME
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Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 3 000 pcs