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FDMS4D0N12C

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 120V; 114A; Idm: 628A; 106W; PQFN8

Famille de produits

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FDMS4D0N12C
Référence TME:
FDMS4D0N12C

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
120V
Courant du drain
114A
Courant du drain dans l'impulsion
628A
Puissance de dissipation
106W
Boîtier
PQFN8
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
8,8mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
82nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.01 g
Certificates

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FDMS4D0N12C
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