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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
La technologie	PowerTrench®
Polarisation	N
Tension drain-source	80V
Courant du drain	116A
Puissance de dissipation	113,6W
Boîtier	PQFN8
Tension entrée-source	20V
Résistance en état de conduction	4,2mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	71nC
Genre de canal	enrichi

FDMS4D5N08LC

Transistor: N-MOSFET; N; 80V; 116A; 113,6W; PQFN8

Spécification