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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	30V
Courant du drain	100A
Courant du drain dans l'impulsion	200A
Puissance de dissipation	125W
Boîtier	DFN8
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	1,55mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	206nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

FDMS7650DC

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 30V; 100A; Idm: 200A; 125W; DFN8

Spécification

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