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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	40V
Courant du drain	192A
Courant du drain dans l'impulsion	300A
Puissance de dissipation	125W
Boîtier	DFN8
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	1,7mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	170nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

FDMS8320LDC

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 40V; 192A; Idm: 300A; 125W; DFN8

Spécification

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