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FDMS86163P

Transistor: P-MOSFET; unipolaire; -100V; -50A; 104W; PQFN8


Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FDMS86163P
Référence TME:
FDMS86163P

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
P-MOSFET
La technologie
PowerTrench®
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
-100V
Courant du drain
-50A
Puissance de dissipation
104W
Boîtier
PQFN8
Tension entrée-source
±25V
Résistance en état de conduction
36mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
59nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.141 g
Certificates
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*
FDMS86163P
1251 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 3.88 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 3.88 USD
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Prix net pour les quantités de 10 pcs - 2.47 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 2.47 USD
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Prix net pour les quantités de 100 pcs - 1.89 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 1.89 USD
Prix net pour les quantités de 500 pcs - 1.75 USDPrix brut pour les quantités de 500 pcs - 1.75 USD
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La quantité minimum possible pour la commande: 1.
Multiplication: 1.
Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 3 000 pcs