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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	150V
Courant du drain	16A
Puissance de dissipation	69W
Boîtier	PQFN8
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	96mΩ
Montage	SMD
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

FDMS86252

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 150V; 16A; 69W; PQFN8

Spécification

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