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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	150V
Courant du drain	62A
Courant du drain dans l'impulsion	271A
Puissance de dissipation	113W
Boîtier	PQFN8
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	12,4mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	45nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

FDMS86255

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 150V; 62A; Idm: 271A; 113W; PQFN8

Spécification