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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
La technologie	PowerTrench®
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	80V
Courant du drain	122A
Puissance de dissipation	104W
Boîtier	PQFN8
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	5,8mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	86nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

FDMS86300

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 80V; 122A; 104W; PQFN8

Spécification