FDN302P

Name: ONSEMI FDN302P
Brand: ONSEMI
SKU: FDN302P
Availability: InStock

Transistor: P-MOSFET; unipolaire; -20V; -2,4A; 0,5W; SuperSOT-3

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:

FDN302P

Référence TME:

FDN302P

Prix net pour les quantités de 1 pcs - 0.66 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 0.66 USD

Prix net pour les quantités de 5 pcs - 0.55 USDPrix brut pour les quantités de 5 pcs - 0.55 USD

Prix net pour les quantités de 10 pcs - 0.48 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 0.48 USD

Prix net pour les quantités de 50 pcs - 0.33 USDPrix brut pour les quantités de 50 pcs - 0.33 USD

Prix net pour les quantités de 100 pcs - 0.28 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 0.28 USD

Prix net pour les quantités de 500 pcs - 0.20 USDPrix brut pour les quantités de 500 pcs - 0.20 USD

Prix net pour les quantités de 1000 pcs - 0.17 USDPrix brut pour les quantités de 1000 pcs - 0.17 USD

Prix net pour les quantités de 1500 pcs - 0.17 USDPrix brut pour les quantités de 1500 pcs - 0.17 USD

Prix net pour les quantités de 3000 pcs - 0.16 USDPrix brut pour les quantités de 3000 pcs - 0.16 USD

Nombre de pièces (Multiplication: 1)

La quantité minimum possible pour la commande: 1.
Multiplication: 1.

Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 3 000 pcs

Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	P-MOSFET
La technologie	PowerTrench®
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	-20V
Courant du drain	-2,4A
Puissance de dissipation	0,5W
Boîtier	SuperSOT-3
Tension entrée-source	±12V
Résistance en état de conduction	84mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	14nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs	logic level