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FDN304P

Transistor: P-MOSFET; unipolaire; -20V; -2,4A; 0,5W; SOT23


Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FDN304P
Référence TME:
FDN304P

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
P-MOSFET
La technologie
PowerTrench®
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
-20V
Courant du drain
-2,4A
Puissance de dissipation
0,5W
Boîtier
SOT23
Tension entrée-source
±8V
Résistance en état de conduction
0,1Ω
Montage
SMD
Charge d'entrée
20nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.031 g
Certificates

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FDN304P
3841 dans l'entrepôt TME
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Multiplication: 1.
Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 3 000 pcs