FDN339AN

Name: ONSEMI FDN339AN
Brand: ONSEMI
SKU: FDN339AN
Availability: InStock

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 20V; 3A; 0,5W; SuperSOT-3

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:

FDN339AN

Référence TME:

FDN339AN

Prix net pour les quantités de 1 pcs - 0.64 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 0.64 USD

Prix net pour les quantités de 5 pcs - 0.59 USDPrix brut pour les quantités de 5 pcs - 0.59 USD

Prix net pour les quantités de 10 pcs - 0.53 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 0.53 USD

Prix net pour les quantités de 50 pcs - 0.37 USDPrix brut pour les quantités de 50 pcs - 0.37 USD

Prix net pour les quantités de 100 pcs - 0.31 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 0.31 USD

Prix net pour les quantités de 500 pcs - 0.22 USDPrix brut pour les quantités de 500 pcs - 0.22 USD

Prix net pour les quantités de 1000 pcs - 0.22 USDPrix brut pour les quantités de 1000 pcs - 0.22 USD

Nombre de pièces (Multiplication: 1)

La quantité minimum possible pour la commande: 1.
Multiplication: 1.

Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 3 000 pcs

Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
La technologie	PowerTrench®
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	20V
Courant du drain	3A
Puissance de dissipation	0,5W
Boîtier	SuperSOT-3
Tension entrée-source	±8V
Résistance en état de conduction	61mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	10nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs	logic level