FDN352AP

Name: ONSEMI FDN352AP
Brand: ONSEMI
SKU: FDN352AP
Availability: InStock

Transistor: P-MOSFET; unipolaire; -30V; -1,3A; 0,5W; SuperSOT-3

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:

FDN352AP

Référence TME:

FDN352AP

Prix net pour les quantités de 1 pcs - 0.44 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 0.44 USD

Prix net pour les quantités de 5 pcs - 0.36 USDPrix brut pour les quantités de 5 pcs - 0.36 USD

Prix net pour les quantités de 10 pcs - 0.31 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 0.31 USD

Prix net pour les quantités de 50 pcs - 0.19 USDPrix brut pour les quantités de 50 pcs - 0.19 USD

Prix net pour les quantités de 100 pcs - 0.15 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 0.15 USD

Prix net pour les quantités de 250 pcs - 0.12 USDPrix brut pour les quantités de 250 pcs - 0.12 USD

Prix net pour les quantités de 500 pcs - 0.11 USDPrix brut pour les quantités de 500 pcs - 0.11 USD

Prix net pour les quantités de 1000 pcs - 0.11 USDPrix brut pour les quantités de 1000 pcs - 0.11 USD

Prix net pour les quantités de 3000 pcs - 0.10 USDPrix brut pour les quantités de 3000 pcs - 0.10 USD

Nombre de pièces (Multiplication: 1)

La quantité minimum possible pour la commande: 1.
Multiplication: 1.

Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 3 000 pcs

Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	P-MOSFET
La technologie	PowerTrench®
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	-30V
Courant du drain	-1,3A
Puissance de dissipation	0,5W
Boîtier	SuperSOT-3
Tension entrée-source	±25V
Résistance en état de conduction	0,4Ω
Montage	SMD
Charge d'entrée	1,9nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs	logic level