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FDN5618P

Transistor: P-MOSFET; unipolaire; -60V; -1,25A; 0,46W; SuperSOT-3


Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FDN5618P
Référence TME:
FDN5618P

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
P-MOSFET
La technologie
PowerTrench®
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
-60V
Courant du drain
-1,25A
Puissance de dissipation
0,46W
Boîtier
SuperSOT-3
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
0,23Ω
Montage
SMD
Charge d'entrée
13,8nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
logic level
Poids brut0.025 g
Certificates

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FDN5618P
2277 dans l'entrepôt TME
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Prix net pour les quantités de 10 pcs - 0.33 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 0.33 USD
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Prix net pour les quantités de 500 pcs - 0.22 USDPrix brut pour les quantités de 500 pcs - 0.22 USD
Prix net pour les quantités de 1000 pcs - 0.20 USDPrix brut pour les quantités de 1000 pcs - 0.20 USD
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Prix net pour les quantités de 6000 pcs - 0.15 USDPrix brut pour les quantités de 6000 pcs - 0.15 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
La quantité minimum possible pour la commande: 1.
Multiplication: 1.
Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 3 000 pcs