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FDN5630

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 60V; 1,7A; 0,5W; SuperSOT-3

Documentation EN
Famille de produits

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FDN5630
Référence TME:
FDN5630

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
PowerTrench®
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
60V
Courant du drain
1,7A
Puissance de dissipation
0,5W
Boîtier
SuperSOT-3
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
0,18Ω
Montage
SMD
Charge d'entrée
10nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
logic level
Poids brut0.024 g
Certificates

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FDN5630
684 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 0.61 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 0.61 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 0.45 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 0.45 USD
Prix net pour les quantités de 50 pcs - 0.31 USDPrix brut pour les quantités de 50 pcs - 0.31 USD
Prix net pour les quantités de 100 pcs - 0.26 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 0.26 USD
Prix net pour les quantités de 500 pcs - 0.19 USDPrix brut pour les quantités de 500 pcs - 0.19 USD
Prix net pour les quantités de 1000 pcs - 0.17 USDPrix brut pour les quantités de 1000 pcs - 0.17 USD
Prix net pour les quantités de 1500 pcs - 0.16 USDPrix brut pour les quantités de 1500 pcs - 0.16 USD
Prix net pour les quantités de 3000 pcs - 0.16 USDPrix brut pour les quantités de 3000 pcs - 0.16 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
La quantité minimum possible pour la commande: 1.
Multiplication: 1.
Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 3 000 pcs