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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	150V
Courant du drain	1,6A
Courant du drain dans l'impulsion	6A
Puissance de dissipation	1,5W
Boîtier	SOT23
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	261mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	2,9nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

FDN86246

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 150V; 1,6A; Idm: 6A; 1,5W; SOT23

Spécification