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FDP047N10

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 100V; 164A; Idm: 656A; 375W


Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FDP047N10
Référence TME:
FDP047N10

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
100V
Courant du drain
164A
Courant du drain dans l'impulsion
656A
Puissance de dissipation
375W
Boîtier
TO220-3
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
4,7mΩ
Montage
THT
Charge d'entrée
160nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Poids brut2 g
Certificates
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FDP047N10
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Prix net pour les quantités de 100 pcs - 4.02 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 4.02 USD
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Prix net pour les quantités de 500 pcs - 3.49 USDPrix brut pour les quantités de 500 pcs - 3.49 USD
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