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FDP18N50

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 500V; 10,8A; 235W; TO220AB

Documentation EN
Famille de produits

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FDP18N50
Référence TME:
FDP18N50

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
UniFET™
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
500V
Courant du drain
10,8A
Puissance de dissipation
235W
Boîtier
TO220AB
Tension entrée-source
±30V
Résistance en état de conduction
265mΩ
Montage
THT
Charge d'entrée
60nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Poids brut2.045 g
Certificates
Voir tous les produits de cette catégorie: Transistors THT à canal N ONSEMI,
*
FDP18N50
915 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 3.65 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 3.65 USD
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 3.33 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 3.33 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 2.75 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 2.75 USD
Prix net pour les quantités de 50 pcs - 1.96 USDPrix brut pour les quantités de 50 pcs - 1.96 USD
Prix net pour les quantités de 100 pcs - 1.86 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 1.86 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
La quantité minimum possible pour la commande: 1.
Multiplication: 1.
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 50 pcs