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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
La technologie	PowerTrench®
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	100V
Courant du drain	80A
Puissance de dissipation	255W
Boîtier	TO220AB
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	37mΩ
Montage	THT
Charge d'entrée	9,8nC
Genre de la emballage	tube
Genre de canal	enrichi

FDP3651U

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 100V; 80A; 255W; TO220AB

Spécification