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FDP4D5N10C

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 100V; 128A; Idm: 512A; 150W

Famille de produits

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FDP4D5N10C
Référence TME:
FDP4D5N10C

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
100V
Courant du drain
128A
Courant du drain dans l'impulsion
512A
Puissance de dissipation
150W
Boîtier
TO220-3
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
4,5mΩ
Montage
THT
Charge d'entrée
48nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Poids brut2 g
Certificates
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*
FDP4D5N10C
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