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FDP61N20

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 200V; 38,5A; 417W; TO220AB

Documentation EN
Famille de produits

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FDP61N20
Référence TME:
FDP61N20

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
UniFET™
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
200V
Courant du drain
38,5A
Puissance de dissipation
417W
Boîtier
TO220AB
Tension entrée-source
±30V
Résistance en état de conduction
41mΩ
Montage
THT
Charge d'entrée
75nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Poids brut2.01 g
Certificates
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*
FDP61N20
89 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 2.78 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 2.78 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 2.35 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 2.35 USD
Prix net pour les quantités de 20 pcs - 1.97 USDPrix brut pour les quantités de 20 pcs - 1.97 USD
Prix net pour les quantités de 50 pcs - 1.75 USDPrix brut pour les quantités de 50 pcs - 1.75 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
La quantité minimum possible pour la commande: 1.
Multiplication: 1.
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 50 pcs