+1 500 000 produits offerts

6000 colis expédiés chaque jour

+300 000 clients de 150 pays

Avez-vous des questions ? Appelez 678.691.2347 (lun-ven 08.00-18.00 EDT)

Nous vous informons que, le 26.07.2026 à 02:00 - 04:00 (CEST) h peuvent se produire des problèmes d’accès au service et aux commandes on-line. Nous vous prions de nous excuser pour ce désagrément.

Pas de douanes américaines – Commandez chez TME en toute confiance

En savoir plus ici

Traitement de données en cours

La limite de votre crédit a été dépassée. La commande sera acceptée mais elle ne sera pas traitée. Le calendrier de livraisons des articles ne sera pas non plus déterminé. Veuillez contacter un employé de TME.

L’opération a été réussie

Une erreur imprévue s’est produite. Réessayer.

Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET x2
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	25V
Courant du drain	60/100A
Puissance de dissipation	21/42W
Boîtier	PQFN8
Tension entrée-source	±12V
Résistance en état de conduction	3,8/1,4mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	25/67nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi
Construction de semi-conducteur	asymétrique

FDPC8016S

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 25V; 60/100A; 21/42W; PQFN8

Spécification