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FDPF2D3N10C

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 100V; 157A; Idm: 888A; 45W

Famille de produits

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FDPF2D3N10C
Référence TME:
FDPF2D3N10C

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
PowerTrench®
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
100V
Courant du drain
157A
Courant du drain dans l'impulsion
888A
Puissance de dissipation
45W
Boîtier
TO220FP
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
2,3mΩ
Montage
THT
Charge d'entrée
152nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Poids brut1.768 g
Certificates
Voir tous les produits de cette catégorie: Transistors THT à canal N ONSEMI,
*
FDPF2D3N10C
51 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 7.01 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 7.01 USD
Prix net pour les quantités de 5 pcs - 5.73 USDPrix brut pour les quantités de 5 pcs - 5.73 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 5.13 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 5.13 USD
Prix net pour les quantités de 25 pcs - 4.44 USDPrix brut pour les quantités de 25 pcs - 4.44 USD
Prix net pour les quantités de 50 pcs - 4.28 USDPrix brut pour les quantités de 50 pcs - 4.28 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 50 pcs