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FDS3672

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 100V; 4,8A; 2,5W; SO8

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FDS3672
Référence TME:
FDS3672

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
100V
Courant du drain
4,8A
Puissance de dissipation
2,5W
Boîtier
SO8
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
43mΩ
Montage
SMD
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.135 g
Certificates

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FDS3672
1761 dans l'entrepôt TME
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Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 2 500 pcs