FDS4435BZ

Name: ONSEMI FDS4435BZ
Brand: ONSEMI
SKU: FDS4435BZ
Availability: OutOfStock

Transistor: P-MOSFET; unipolaire; -30V; -8,8A; 2,5W; SO8

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:

FDS4435BZ

Référence TME:

FDS4435BZ

Prix net pour les quantités de 1 pcs - 1.11 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 1.11 USD

Prix net pour les quantités de 5 pcs - 0.87 USDPrix brut pour les quantités de 5 pcs - 0.87 USD

Prix net pour les quantités de 10 pcs - 0.76 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 0.76 USD

Prix net pour les quantités de 50 pcs - 0.54 USDPrix brut pour les quantités de 50 pcs - 0.54 USD

Prix net pour les quantités de 100 pcs - 0.47 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 0.47 USD

Prix net pour les quantités de 500 pcs - 0.35 USDPrix brut pour les quantités de 500 pcs - 0.35 USD

Prix net pour les quantités de 1000 pcs - 0.32 USDPrix brut pour les quantités de 1000 pcs - 0.32 USD

Prix net pour les quantités de 2500 pcs - 0.31 USDPrix brut pour les quantités de 2500 pcs - 0.31 USD

Nombre de pièces (Multiplication: 1)

La quantité minimum possible pour la commande: 1.
Multiplication: 1.

Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 2 500 pcs

Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	P-MOSFET
La technologie	PowerTrench®
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	-30V
Courant du drain	-8,8A
Puissance de dissipation	2,5W
Boîtier	SO8
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	35mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	40nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi