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FDS4465

Transistor: P-MOSFET; unipolaire; -20V; -13,5A; 2,5W; SO8

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FDS4465
Référence TME:
FDS4465

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
P-MOSFET
La technologie
PowerTrench®
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
-20V
Courant du drain
-13,5A
Puissance de dissipation
2,5W
Boîtier
SO8
Tension entrée-source
±8V
Résistance en état de conduction
10,5mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
0,12µC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.117 g
Certificates
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FDS4465
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Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 2 500 pcs