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FDS5670

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 60V; 10A; 2,5W; SO8


Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FDS5670
Référence TME:
FDS5670

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
PowerTrench®
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
60V
Courant du drain
10A
Puissance de dissipation
2,5W
Boîtier
SO8
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
27mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
70nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.139 g
Certificates
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FDS5670
1321 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 2.93 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 2.93 USD
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Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 2 500 pcs