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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
La technologie	PowerTrench®
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	60V
Courant du drain	12A
Puissance de dissipation	2,5W
Boîtier	SO8
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	23mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	45nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

FDS5672

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 60V; 12A; 2,5W; SO8

Spécification