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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	-20V
Courant du drain	-10A
Puissance de dissipation	2,5W
Boîtier	SO8
Tension entrée-source	±8V
Résistance en état de conduction	20mΩ
Montage	SMD
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

FDS6575

Transistor: P-MOSFET; unipolaire; -20V; -10A; 2,5W; SO8

Spécification

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