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FDS6680A

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 30V; 12,5A; 2,5W; SO8

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FDS6680A
Référence TME:
FDS6680A

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
PowerTrench®
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
30V
Courant du drain
12,5A
Puissance de dissipation
2,5W
Boîtier
SO8
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
15mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
23nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.136 g
Certificates
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*
FDS6680A
1283 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 1.16 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 1.16 USD
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Prix net pour les quantités de 25 pcs - 0.74 USDPrix brut pour les quantités de 25 pcs - 0.74 USD
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La quantité minimum possible pour la commande: 1.
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Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 2 500 pcs