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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	P-MOSFET x2
La technologie	PowerTrench®
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	-20V
Courant du drain	-6A
Puissance de dissipation	1,6W
Boîtier	SO8
Tension entrée-source	±8V
Résistance en état de conduction	48mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	31nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

FDS6875

Transistor: P-MOSFET x2; unipolaire; -20V; -6A; 1,6W; SO8

Spécification