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FDS8858CZ

Transistor: N/P-MOSFET; unipolaire; paire complémentaire; 2W; SO8

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FDS8858CZ
Référence TME:
FDS8858CZ

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N/P-MOSFET
La technologie
PowerTrench®
Polarisation
unipolaire
Genre de transistor
paire complémentaire
Tension drain-source
30/-30V
Courant du drain
8,6/-7,3A
Puissance de dissipation
2W
Boîtier
SO8
Tension entrée-source
±25/±20V
Résistance en état de conduction
28,8/24,3mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
46/24nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.1 g
Certificates

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FDS8858CZ
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Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 2 500 pcs