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FDS89161

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 100V; 2,7A; 31W; SO8

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FDS89161
Référence TME:
FDS89161

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET x2
La technologie
PowerTrench®
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
100V
Courant du drain
2,7A
Puissance de dissipation
31W
Boîtier
SO8
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
176mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
4,1nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.113 g
Certificates
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FDS89161
1993 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 1.12 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 1.12 USD
Prix net pour les quantités de 5 pcs - 1.06 USDPrix brut pour les quantités de 5 pcs - 1.06 USD
Prix net pour les quantités de 25 pcs - 0.96 USDPrix brut pour les quantités de 25 pcs - 0.96 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
Produit disponible uniquement jusqu’à épuisement des stocks
Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 2 500 pcs