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FDS8949

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 40V; 6A; 2W; SO8


Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FDS8949
Référence TME:
FDS8949

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET x2
La technologie
PowerTrench®
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
40V
Courant du drain
6A
Puissance de dissipation
2W
Boîtier
SO8
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
43mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
11nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.141 g
Certificates
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FDS8949
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Méthode d'emballage par le fabricant:Rouleau = 2 500 pcs