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FDS8949

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 40V; 6A; 2W; SO8

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FDS8949
Référence TME:
FDS8949

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET x2
La technologie
PowerTrench®
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
40V
Courant du drain
6A
Puissance de dissipation
2W
Boîtier
SO8
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
43mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
11nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.141 g
Certificates
Voir tous les produits de cette catégorie: Transistors multicanaux ONSEMI,
*
FDS8949
1987 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 1.41 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 1.41 USD
Prix net pour les quantités de 5 pcs - 1.04 USDPrix brut pour les quantités de 5 pcs - 1.04 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 0.92 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 0.92 USD
Prix net pour les quantités de 50 pcs - 0.69 USDPrix brut pour les quantités de 50 pcs - 0.69 USD
Prix net pour les quantités de 100 pcs - 0.62 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 0.62 USD
Prix net pour les quantités de 500 pcs - 0.47 USDPrix brut pour les quantités de 500 pcs - 0.47 USD
Prix net pour les quantités de 1000 pcs - 0.42 USDPrix brut pour les quantités de 1000 pcs - 0.42 USD
Prix net pour les quantités de 2500 pcs - 0.40 USDPrix brut pour les quantités de 2500 pcs - 0.40 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 2 500 pcs