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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	30V
Courant du drain	6,3A
Puissance de dissipation	3W
Boîtier	SOT223
Tension entrée-source	±8V
Résistance en état de conduction	72mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	15nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

FDT439N

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 30V; 6,3A; 3W; SOT223

Spécification