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FDT457N

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 30V; 5A; 3W; SOT223


Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FDT457N
Référence TME:
FDT457N

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
30V
Courant du drain
5A
Puissance de dissipation
3W
Boîtier
SOT223
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
0,1Ω
Montage
SMD
Charge d'entrée
5,9nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.165 g
Certificates
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FDT457N
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