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FDT458P

Transistor: P-MOSFET; unipolaire; -30V; -3,4A; 3W; SOT223

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FDT458P
Référence TME:
FDT458P

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
P-MOSFET
La technologie
PowerTrench®
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
-30V
Courant du drain
-3,4A
Puissance de dissipation
3W
Boîtier
SOT223
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
0,21Ω
Montage
SMD
Charge d'entrée
3,5nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.153 g
Certificates
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*
FDT458P
850 dans l'entrepôt TME
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La quantité minimum possible pour la commande: 1.
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Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 4 000 pcs