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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	150V
Courant du drain	2,8A
Courant du drain dans l'impulsion	12A
Puissance de dissipation	2,2W
Boîtier	SOT223
Résistance en état de conduction	128mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	4,9nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

FDT86244

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 150V; 2,8A; Idm: 12A; 2,2W; SOT223

Spécification